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电或其它强电磁脉冲的干扰，以保证信息的安全畅通、进出建筑物的人员生命安全。 四.雷击风险评估 4.1雷电危害 传统的雷击危害是指直击雷对建筑物或者生命安全的危害，随着科技的发展，现在雷电危害则是指感应过电压、涌涌过电压、雷电波侵入、电磁脉冲干扰等对电子或国际设备的危害。 雷电浪涌是近年来由于微电子设备的不断应用而引起人们极大重视的一种雷电危害形式，同时其防护方式也在不断完善。最常见的电子设备危害不是由于直接雷引起的，而是由于雷电发生时在电源和通信线路中感应的电流浪涌而引起的。一方面由于电子设备内部结构高度集成化，从而造成设备耐压、耐过电流的水平下降，对雷电及操作过电压的承受能力下降，另一方面，由于信号线路来源路径增多，系统较以前更容易遭受雷电波侵入，浪涌电压可以从电源线或信号线等途径串入微电子设备。 电源浪涌不仅源于雷击，当电力系统出现短路故障、投切大负荷时都会产生电源浪涌，电网绵延千里，不论是雷电还是线路浪涌发生的几率都很高。当几公里外的远方发生了雷击时，雷电浪涌通过电网线路传输，经过变电站等衰减，到微电子设备时可能仍有上千伏，这个高压很短，只有几十到几百个微秒，或者不足以烧毁微电子设备，但是对于微电子设备内部的半导体元件却有很大的损害，造成微电子设备越来越不稳定甚至是击穿电子元件，或有可能造成重要数据的丢失。
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直击雷非防护区LPZOA：电磁场没有衰减，各类物体都可能遭到直接雷击，属于完全暴露的不设防区。
直击雷防护区LPZOB：电磁场没有衰减，各类物体很少遭到直接雷击，属于充分暴露的直击雷防护区。
第一防护区LPZ1：由于建筑物的屏蔽措施，流经各类导体的雷电流比直击雷防护区减小，电磁场得到了初步的衰减，各类物体不可能遭受直接雷击。
第二防护区LPZ2：进一步减小所导引的雷电流或电磁场而引入的后续防护区。
后续防护区LPZn：需要进一步减小雷电电磁脉冲，以保护敏感度水平高的设备的后续防护区。
1.3.3分级防护:对感应雷进行分级防护，是减小感应雷击最有效的方法之一。在防雷区的交界处装设高科技产品—电涌保护器（SPD），当雷电流通过各类线缆时，通过电涌保护器的削峰、分流等作用，将雷电流逐级地降低到设备所能承受的电压范围之内。
